理大研發量子隧穿場效應晶體管 採用二維納米材料降晶片功耗

香港理工大學聯合多所大學研發出新型量子隧穿場效應晶體管 TFET。研究團隊利用脈衝激光沉積技術製作二維納米材料異質結,克服了波爾茲曼極限的物理限制。新器件在室溫下的閘極電壓需求降至 160 毫伏特,並維持高輸出電流與開關比,相關研究成果已發表於科學期刊《Science》。

繼續閱讀